來源：內容來自網絡整理，謝謝。
在2019中國國際智能產業博覽會上，紫光集團首次公開展示了長江存儲64層NAND Flash Wafer。據存儲在線報道稱，這是紫光集團旗下長江存儲推出的第二代64層3D NAND，也是業內存儲密度最高的64層3D NAND芯片。據techweb的消息顯示，長江存儲今年年底預計正式量產64層堆棧的3D閃存，明年開始逐步提升產能，預計2020年底有望將產能提升至月產6萬片晶圓的規模。
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在2019中國國際智能產業博覽會上，紫光集團首次公開展示了長江存儲64層NAND Flash Wafer。據存儲在線報道稱，這是紫光集團旗下長江存儲推出的第二代64層3D NAND，也是業內存儲密度最高的64層3D NAND芯片。據techweb的消息顯示，長江存儲今年年底預計正式量產64層堆棧的3D閃存，明年開始逐步提升產能，預計2020年底有望將產能提升至月產6萬片晶圓的規模。
（圖片來源：存儲在線）
回顧此前的一些消息，2018年，長江存儲就公開了發佈其突破性技術——XtackingTM。長江存儲稱，該技術將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能，更高的存儲密度，及更短的產品上市週期。當時也有消息顯示，長江存儲已成功將Xtacking TM技術應用於其第二代3D NAND產品的開發。
另外，據觀察者網之前的報道顯示，目前長江存儲即將於今年年底量產的64層Xtacking 3D NAND的存儲密度僅比競品96層的3D NAND低10~20%。而下一代，長江存儲將直接跳過96層堆疊，直接進入128層堆疊的研發。
按照長江存儲這個發展勢頭來看，它作為3D NAND的新秀的確取得了令人矚目的成績。而它距離世界領先水平，還有多遠？
在3D NAND市場上，英特爾，鎂光，三星，SK海力士、東芝、西部數據一直處於這個領域上的領先地位。在每個供應商都採用不同的方法來擴展3D NAND。
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在2019中國國際智能產業博覽會上，紫光集團首次公開展示了長江存儲64層NAND Flash Wafer。據存儲在線報道稱，這是紫光集團旗下長江存儲推出的第二代64層3D NAND，也是業內存儲密度最高的64層3D NAND芯片。據techweb的消息顯示，長江存儲今年年底預計正式量產64層堆棧的3D閃存，明年開始逐步提升產能，預計2020年底有望將產能提升至月產6萬片晶圓的規模。
（圖片來源：存儲在線）
回顧此前的一些消息，2018年，長江存儲就公開了發佈其突破性技術——XtackingTM。長江存儲稱，該技術將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能，更高的存儲密度，及更短的產品上市週期。當時也有消息顯示，長江存儲已成功將Xtacking TM技術應用於其第二代3D NAND產品的開發。
另外，據觀察者網之前的報道顯示，目前長江存儲即將於今年年底量產的64層Xtacking 3D NAND的存儲密度僅比競品96層的3D NAND低10~20%。而下一代，長江存儲將直接跳過96層堆疊，直接進入128層堆疊的研發。
按照長江存儲這個發展勢頭來看，它作為3D NAND的新秀的確取得了令人矚目的成績。而它距離世界領先水平，還有多遠？
在3D NAND市場上，英特爾，鎂光，三星，SK海力士、東芝、西部數據一直處於這個領域上的領先地位。在每個供應商都採用不同的方法來擴展3D NAND。
（來源：中國閃存市場）
據semiengineering的消息顯示，在價格和競爭的雙重壓力下，3D NAND供應商們正準備迎接新的戰鬥，競爭下一代技術。眾所周知，3D NAND通過設備中堆疊的層數來量化。隨著更多層的添加，位密度增加。據閃存市場的統計顯示，從技術方面上看，2019上半年三星、東芝存儲器、西部數據、鎂光、SK海力士等原廠仍以64層/72層3D NAND生產為主，從下半年開始將向96層3D NAND技術過渡，並積極向下一代100層以上3D NAND技術發展。
下面，讓我們一同關注下，這些國際廠商在3D NAND上的一些動態：
SK海力士：6月26日，SK海力士宣佈推出業內首款128層TLC 4D NAND Flash，生產效率提高40%，容量為1Tb，而且正在開發下一代176層4D NAND，預計將在2020年底可望投產。據悉，目前Flash原廠主要是集中提高96層3D NAND，SK 海力士推出的128層4D NAND是目前業界最高的垂直堆疊高度，具有超過3600億個NAND單元，每個NAND單元存儲3位元（TLC）。
三星：8月6日，三星宣佈推出了首個100+層且單棧（Single-stack）設計的第六代V-NAND，並已開始批量生產基於該技術的250GB SATA SSD，還計劃從2020年在韓國平澤工廠擴大第六代V-NAND生產，以確保其在業界的領先地位。三星第六代V-NAND是繼其推出90層以上V-NAND後僅13個月所推出的新一代V-NAND。據悉，三星是利用獨特的“通道孔蝕刻”技術，新的V-NAND在之前的9x層堆疊結構上增加了大約40%。這是通過建立一個由136層組成的導電模具堆，然後從上到下垂直穿透圓柱形孔，創建統一的三維電荷阱閃光（CTF）單元來實現的。
鎂光：鎂光去年開始就擴建他們在新加坡的Fab 10工廠，擴展旨在進行新的3D NAND工藝節點轉換，並且保持和現在一樣的晶圓產量。據悉，新建的無塵工作時能夠生產更多堆疊層數，存儲密度更大的閃存。據IT之家消息顯示，目前新擴展出來的工廠正在進行設備安裝，預計今年下半年將投產96層的3D NAND產品。據閃存市場消息顯示，鎂光第三代96層3D NAND已進入量產，下一代將向128層3D NAND推進，是64+64層的結構，從Floating Gate浮柵向柵極技術(Replacement Gate)過渡，並繼續使用陣列下的CMOS架構，未來也將發展至200層堆疊。
東芝&西部數據：3月7日消息，東芝和合作夥伴西部數據日前宣佈，已經完成了128層3D NAND Flash芯片的開發，預計商用名會是BiCS-5。據悉，BiCS-5理論容量密度提升約33%，晶片容量為512Gb(64GB)，計劃2020年到2021年期間商用。性能方面，BiCS-5芯片採用單Die四矩陣技術，寫速相較於兩矩陣翻番，達到132MB/s。這個速度怎麼理解？就是SLC緩存飽和之後的SSD的真實寫速。
英特爾：據Anandtech報道，由於閃存市場供過於求，價格不斷下跌，英特爾決定今年降低NAND產量。此外在英特爾投資公告上，CEO鮑勃斯萬確認了英特爾在未來一段時間不會增大產能。同時因為跟鎂光的解約，英特爾將把3D XPoint/傲騰閃存的生產線轉移至中國。報導指出，目前英特爾於中國大連的工廠是2010年開始投產，現在專門為英特爾生產3DNAND Flash閃存，之前也曾擴展產能。不過，現在英特爾並不打算繼續投入更多錢擴建。相反地，英特爾將專注64層、96層，甚至更高數量的堆棧技術來壓低單位生產成本，這也顯示英特爾即將研發下一代超過100層堆棧的3DNANDFlash閃存。
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